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STP150N10F7AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, 110A, TO220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP150N10F7AG
Code Commande25AK1329
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
175 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,200 $ |
| 10+ | 5,230 $ |
| 25+ | 4,910 $ |
| 50+ | 4,590 $ |
| 100+ | 4,270 $ |
| 250+ | 4,120 $ |
| 500+ | 3,970 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,20 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP150N10F7AG
Code Commande25AK1329
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits