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STP18N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7703
Gamme de produitMDmesh II Plus
Votre numéro de pièce
1 804 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,870 $ |
| 10+ | 3,320 $ |
| 100+ | 2,450 $ |
| 500+ | 2,070 $ |
| 1000+ | 2,030 $ |
| 2500+ | 1,990 $ |
| 5000+ | 1,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,87 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7703
Gamme de produitMDmesh II Plus
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.255ohm
On Resistance Rds(on)0.255ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.255ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.255ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit