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STP25N80K5
MOSFET, N-CH, 800V, 19.5A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP25N80K5
Code Commande47AK7007
Gamme de produitMDmesh K5 Series
Fiche technique
1 107 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,080 $ |
| 10+ | 5,050 $ |
| 25+ | 4,810 $ |
| 50+ | 4,650 $ |
| 100+ | 4,520 $ |
| 250+ | 4,480 $ |
| 500+ | 4,420 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,08 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP25N80K5
Code Commande47AK7007
Gamme de produitMDmesh K5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id19.5A
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5 Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5 Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits