Imprimer la page
STP5NK80Z
N CHANNEL MOSFET, 800V, 4.3A TO-220
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
30 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,310 $ |
| 10+ | 2,240 $ |
| 100+ | 2,140 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
| 1000+ | 1,640 $ |
| 2500+ | 1,360 $ |
| 10000+ | 1,290 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,31 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP5NK80Z
Code Commande38K7926
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.3A
On Resistance Rds(on)1.9ohm
Drain Source On State Resistance2.4ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STP5NK80Z is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial
Avertissements
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1.9ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Drain Source On State Resistance
2.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit