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STS10P3LLH6
MOSFET, P-CH, 30V, 12.5A, 150DEG C, 2.7W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS10P3LLH6
Code Commande69AH2856
Gamme de produitSTripFET H6
Fiche technique
2 192 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,830 $ |
| 10+ | 1,910 $ |
| 25+ | 1,740 $ |
| 50+ | 1,560 $ |
| 100+ | 1,380 $ |
| 250+ | 1,280 $ |
| 500+ | 1,180 $ |
| 1000+ | 1,090 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,83 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS10P3LLH6
Code Commande69AH2856
Gamme de produitSTripFET H6
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12.5A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
On Resistance Rds(on)0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.7W
Power Dissipation Pd2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET H6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET H6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
On Resistance Rds(on)
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits