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STS10P4LLF6
MOSFET, P-CH, -40V, -10A, 2.7W, SOIC
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS10P4LLF6
Code Commande07AH7117
Gamme de produitStripFET F6
Fiche technique
1 789 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,620 $ |
| 10+ | 1,950 $ |
| 25+ | 1,810 $ |
| 50+ | 1,660 $ |
| 100+ | 1,520 $ |
| 250+ | 1,410 $ |
| 500+ | 1,290 $ |
| 1000+ | 1,210 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,62 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS10P4LLF6
Code Commande07AH7117
Gamme de produitStripFET F6
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
On Resistance Rds(on)0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd2.7W
Power Dissipation2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStripFET F6
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
StripFET F6
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits