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STS4DNF60L.
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 4 A, 0.055 ohm
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,480 $ |
| 7500+ | 1,440 $ |
| 12500+ | 1,340 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 700,00 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS4DNF60L.Copie
Code Commande82AC0160
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- STripFET™ power MOSFET suitable for switching applications
- Single feature size strip-based process
- Standard outline for easy automated surface mount assembly
- Low threshold drive
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit