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STS4DNF60L
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS4DNF60LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète87X9682
Mise en bobine26M3734RL
Bandes découpées26M3734
Votre numéro de pièce
3 324 En Stock
3 324 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,910 $ | 2,91 $ |
| Total Prix | 2,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,910 $ |
| 10+ | 2,350 $ |
| 25+ | 2,050 $ |
| 50+ | 1,800 $ |
| 100+ | 1,520 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,040 $ |
| 5000+ | 0,933 $ |
| 10000+ | 0,847 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS4DNF60LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète87X9682
Mise en bobine26M3734RL
Bandes découpées26M3734
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- STripFET™ power MOSFET suitable for switching applications
- Single feature size strip-based process
- Standard outline for easy automated surface mount assembly
- Low threshold drive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit