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STS5P3LLH6
MOSFET, P-CH, -30V, -5A, 150DEG C, 2.7W
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS5P3LLH6
Code Commande26AH0265
Gamme de produitSTripFET H6 DeepGATE
Fiche technique
1 297 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,810 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,080 $ |
| 50+ | 0,960 $ |
| 100+ | 0,841 $ |
| 250+ | 0,765 $ |
| 500+ | 0,688 $ |
| 1000+ | 0,640 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,81 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS5P3LLH6
Code Commande26AH0265
Gamme de produitSTripFET H6 DeepGATE
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.7W
Power Dissipation Pd2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET H6 DeepGATE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET H6 DeepGATE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits