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STW15NK90Z
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 15 A, 0.55 ohm, TO-247, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| Réf. Fabricant | STW15NK90ZCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
| Code Commande | 33R1318 |
| Gamme de produit | SuperMESH Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
1 237 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,420 $ |
| 10+ | 9,720 $ |
| 25+ | 9,510 $ |
| 50+ | 9,280 $ |
| 100+ | 9,070 $ |
| 250+ | 8,890 $ |
| 500+ | 8,710 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,42 $
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| Réf. Fabricant | STW15NK90ZCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
| Code Commande | 33R1318 |
| Gamme de produit | SuperMESH Series |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 900V |
| Continuous Drain Current Id | 9.5A |
| Drain Source On State Resistance | 0.55ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.4ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Power Dissipation Pd | 350W |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3.75V |
| Power Dissipation | 350W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | SuperMESH Series |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The STW15NK90Z is a 900V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 900V |
| Drain Source On State Resistance | 0.55ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Power Dissipation Pd | 350W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3.75V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | SuperMESH Series |
| MSL | - |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 9.5A |
| On Resistance Rds(on) | 0.4ohm |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation | 350W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |