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STW24N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW24N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7782
Gamme de produitMDmesh II Plus
Votre numéro de pièce
599 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,280 $ |
| 10+ | 4,870 $ |
| 100+ | 3,450 $ |
| 500+ | 3,200 $ |
| 1000+ | 2,780 $ |
| 2500+ | 2,720 $ |
| 5000+ | 2,670 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,28 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW24N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7782
Gamme de produitMDmesh II Plus
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.168ohm
On Resistance Rds(on)0.168ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.168ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.168ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STW24N60M2
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit