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STW50N65DM2AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 650V, 38A, 300W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW50N65DM2AG
Code Commande69AH2890
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,290 $ |
| 10+ | 6,950 $ |
| 25+ | 6,680 $ |
| 60+ | 6,450 $ |
| 120+ | 6,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,29 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW50N65DM2AG
Code Commande69AH2890
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
Power Dissipation Pd300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits