Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW56N60M2-4
Code Commande26AH0275
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
580 En Stock
Vous en voulez davantage ?
394 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
186 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 17,130 $ |
10+ | 14,000 $ |
25+ | 10,860 $ |
50+ | 10,580 $ |
100+ | 10,290 $ |
250+ | 10,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
17,13 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW56N60M2-4
Code Commande26AH0275
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id52A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation350W
Power Dissipation Pd350W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
No. of Pins
4Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour STW56N60M2-4
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit