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STW58N60DM2AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 600V, 50A, 360W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW58N60DM2AG
Code Commande69AH2892
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
587 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,100 $ |
| 10+ | 15,770 $ |
| 25+ | 13,430 $ |
| 60+ | 11,100 $ |
| 120+ | 10,750 $ |
| 270+ | 10,400 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
18,10 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW58N60DM2AG
Code Commande69AH2892
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.052ohm
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation360W
Power Dissipation Pd360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.052ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits