Imprimer la page
VNN1NV04PTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantVNN1NV04PTR-ECopie
Code Commande
Mise en bobine06X1145
Bandes découpées06X1145
Votre numéro de pièce
10 689 En Stock
Vous en voulez davantage ?
3999 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
6690 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,620 $ | 1,62 $ |
| Total Prix | 1,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,620 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,060 $ |
| 50+ | 0,993 $ |
| 100+ | 0,932 $ |
| 250+ | 0,872 $ |
| 500+ | 0,837 $ |
| 1000+ | 0,807 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantVNN1NV04PTR-ECopie
Code Commande
Mise en bobine06X1145
Bandes découpées06X1145
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation7W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
7W
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
7W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit