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VNN1NV04PTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantVNN1NV04PTR-ECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète07X1990
Mise en bobine06X1145RL
Bandes découpées06X1145
Votre numéro de pièce
10 639 En Stock
10 639 disponibles sur {packagingType}
3 700 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,550 $ | 1,55 $ |
| Total Prix | 1,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,550 $ |
| 50+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,892 $ |
| 250+ | 0,834 $ |
| 500+ | 0,801 $ |
| 1000+ | 0,785 $ |
| 2500+ | 0,769 $ |
| 5000+ | 0,753 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,839 $ |
| 3000+ | 0,809 $ |
| 5000+ | 0,794 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantVNN1NV04PTR-ECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète07X1990
Mise en bobine06X1145RL
Bandes découpées06X1145
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd7W
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation7W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
7W
Power Dissipation
7W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit