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TQM150NB04DCR RLG
MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 39A, PDFN56U ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 285 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,780 $ |
| 10+ | 1,790 $ |
| 25+ | 1,610 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 250+ | 1,100 $ |
| 500+ | 0,979 $ |
| 1000+ | 0,900 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,78 $
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM150NB04DCR RLG
Code Commande59AJ2290
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel39A
Continuous Drain Current Id P Channel39A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0103ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0103ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
39A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0103ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
39A
Continuous Drain Current Id N Channel
39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0103ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits