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TQM250NB06DCR RLG
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 30A, PDFN56U ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 358 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,350 $ |
| 10+ | 1,100 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,936 $ |
| 100+ | 0,854 $ |
| 250+ | 0,790 $ |
| 500+ | 0,725 $ |
| 1000+ | 0,716 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,35 $
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM250NB06DCR RLG
Code Commande59AJ2291
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id30A
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel58W
Power Dissipation P Channel58W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
58W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits