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TSM2314CX RFG
MOSFET Transistor, N Channel, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV RoHS Compliant: Yes
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18 866 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,383 $ |
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Minimum: 5
Multiple: 5
1,92 $
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM2314CX RFG
Code Commande27T2999
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation1.25W
Power Dissipation Pd1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation Pd
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour TSM2314CX RFG
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits