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FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM2323CX RFGCopie
Code Commande
Mise en bobine38AC2522
Bandes découpées38AC2522
Votre numéro de pièce
5 490 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,710 $ | 8,55 $ |
| Total Prix | 8,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,710 $ |
| 10+ | 1,070 $ |
| 25+ | 0,947 $ |
| 50+ | 0,826 $ |
| 100+ | 0,705 $ |
| 250+ | 0,627 $ |
| 500+ | 0,548 $ |
| 1000+ | 0,497 $ |
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM2323CX RFGCopie
Code Commande
Mise en bobine38AC2522
Bandes découpées38AC2522
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd1.25W
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour TSM2323CX RFG
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
