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XP234N08013R-G
MOSFET, N-CH, 0.8A, 30V, SOT-323-3A ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantTOREX
Réf. FabricantXP234N08013R-G
Code Commande
Mise en bobine91AH9299
Bandes découpées91AH9299
Gamme de produitXP234N0801xx-G
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 975 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,516 $ |
| 10+ | 0,315 $ |
| 25+ | 0,276 $ |
| 50+ | 0,235 $ |
| 100+ | 0,196 $ |
| 250+ | 0,173 $ |
| 500+ | 0,146 $ |
| 1000+ | 0,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOREX
Réf. FabricantXP234N08013R-G
Code Commande
Mise en bobine91AH9299
Bandes découpées91AH9299
Gamme de produitXP234N0801xx-G
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id800mA
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-323-3A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd350mW
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP234N0801xx-G
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-323-3A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP234N0801xx-G
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits