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2SC2712-O(TE85L,F)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Surface Mount
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SC2712-O(TE85L,F)
Code Commande08AK8207
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current150mA
DC Collector Current150mA
Power Dissipation Pd200mW
Power Dissipation200mW
Transistor Case StyleSOT-346
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency80MHz
DC Current Gain hFE70hFE
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
50V
DC Collector Current
150mA
Power Dissipation
200mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
80MHz
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current
150mA
Power Dissipation Pd
200mW
Transistor Case Style
SOT-346
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit