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2SC5200N(S1,E,S)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,090 $ |
| 10+ | 3,740 $ |
| 100+ | 2,630 $ |
| 500+ | 2,270 $ |
| 1000+ | 2,190 $ |
| 2500+ | 2,100 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SC5200N(S1,E,S)
Code Commande08AK8210
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo230V
Collector Emitter Voltage Max230V
DC Collector Current15A
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min35hFE
DC Current Gain hFE35hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
230V
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation Pd
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
DC Current Gain hFE
35hFE
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
230V
DC Collector Current
15A
Power Dissipation
150W
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits