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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,220 $ |
| 10+ | 0,170 $ |
| 25+ | 0,105 $ |
| 50+ | 0,085 $ |
| 100+ | 0,071 $ |
| 250+ | 0,057 $ |
| 500+ | 0,045 $ |
| 1000+ | 0,042 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J15FV,L3F(T
Code Commande01AM0604
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance12ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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