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SSM3J168F,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 400 mA, 1.55 ohm, SOT-346, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J168F,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3021RL
Bandes découpées03AM3021
Votre numéro de pièce
324 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,611 $ | 0,61 $ |
| Total Prix | 0,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,611 $ |
| 50+ | 0,469 $ |
| 100+ | 0,391 $ |
| 250+ | 0,327 $ |
| 500+ | 0,274 $ |
| 1000+ | 0,234 $ |
| 2500+ | 0,190 $ |
| 5000+ | 0,162 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J168F,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3021RL
Bandes découpées03AM3021
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance1.55ohm
Transistor Case StyleSOT-346
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation600mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
SOT-346
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit