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SSM3J372R,LXGF(T
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A, 42 mohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J372R,LXGF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0613RL
Bandes découpées01AM0613
Gamme de produitU-MOSVI Series
Votre numéro de pièce
19 615 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,553 $ | 0,55 $ |
| Total Prix | 0,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,553 $ |
| 50+ | 0,426 $ |
| 100+ | 0,354 $ |
| 250+ | 0,297 $ |
| 500+ | 0,249 $ |
| 1000+ | 0,211 $ |
| 2500+ | 0,174 $ |
| 5000+ | 0,147 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J372R,LXGF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0613RL
Bandes découpées01AM0613
Gamme de produitU-MOSVI Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVI Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit