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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J56MFV,L3F(T
Code Commande09AK7966
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id800mA
On Resistance Rds(on)0.31ohm
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd150mW
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.31ohm
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
150mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SSM3J56MFV,L3F(T
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit