Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K339R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6432
Mise en bobine09AK7976RL
Bandes découpées09AK7976
Votre numéro de pièce
12 111 En Stock
12 111 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,543 $ | 0,54 $ |
| Total Prix | 0,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,543 $ |
| 50+ | 0,417 $ |
| 100+ | 0,284 $ |
| 250+ | 0,235 $ |
| 500+ | 0,197 $ |
| 1000+ | 0,158 $ |
| 2500+ | 0,132 $ |
| 5000+ | 0,109 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,137 $ |
| 9000+ | 0,123 $ |
| 15000+ | 0,101 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K339R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6432
Mise en bobine09AK7976RL
Bandes découpées09AK7976
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.185ohm
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.185ohm
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
