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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K341R,LXHF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3035RL
Bandes découpées03AM3035
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Votre numéro de pièce
276 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,973 $ | 0,97 $ |
| Total Prix | 0,97 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,973 $ |
| 50+ | 0,794 $ |
| 100+ | 0,701 $ |
| 250+ | 0,624 $ |
| 500+ | 0,535 $ |
| 1000+ | 0,470 $ |
| 2500+ | 0,372 $ |
| 5000+ | 0,358 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K341R,LXHF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3035RL
Bandes découpées03AM3035
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
