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SSM3K376R,LF(T
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K376R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0627RL
Bandes découpées01AM0627
Votre numéro de pièce
5 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,526 $ | 0,53 $ |
| Total Prix | 0,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,526 $ |
| 50+ | 0,405 $ |
| 100+ | 0,276 $ |
| 250+ | 0,228 $ |
| 500+ | 0,192 $ |
| 1000+ | 0,153 $ |
| 2500+ | 0,129 $ |
| 5000+ | 0,106 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K376R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0627RL
Bandes découpées01AM0627
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit