Imprimer la page
TJ15S10M3,LQ(O
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTJ15S10M3,LQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande30AM0681
Votre numéro de pièce
1 999 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,360 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,050 $ |
| 50+ | 0,951 $ |
| 100+ | 0,797 $ |
| 250+ | 0,705 $ |
| 500+ | 0,613 $ |
| 1000+ | 0,588 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,36 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTJ15S10M3,LQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande30AM0681
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit