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TK080Z60Z1,S1F(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Through Hole
30 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,740 $ |
| 10+ | 7,870 $ |
| 25+ | 7,150 $ |
| 50+ | 6,660 $ |
| 100+ | 6,220 $ |
| 250+ | 5,220 $ |
| 500+ | 5,050 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,74 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK080Z60Z1,S1F(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande50AM7301
Gamme de produitDTMOSVI
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation211W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDTMOSVI
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
211W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
DTMOSVI
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit