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TK100L60W,VQ(O
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Through Hole
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK100L60W,VQ(OCopie
Code Commande08AK7498
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation Pd797W
Power Dissipation797W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
797W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation
797W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit