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TK10E80W,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Through Hole
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50 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,860 $ |
| 10+ | 4,300 $ |
| 25+ | 3,850 $ |
| 50+ | 3,660 $ |
| 100+ | 3,270 $ |
| 250+ | 2,870 $ |
| 500+ | 2,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,86 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK10E80W,S1X(S
Code Commande72AK4423
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id9.5A
Drain Source On State Resistance0.46ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.46ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits