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TK10J80E,S1E(S
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,830 $ |
| 10+ | 4,260 $ |
| 100+ | 3,590 $ |
| 500+ | 3,400 $ |
| 1000+ | 3,130 $ |
| 2500+ | 2,730 $ |
| 5000+ | 2,660 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK10J80E,S1E(S
Code Commande47AK7047
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.7ohm
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.7ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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