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TK10P60W,RVQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,100 $ |
| 10+ | 2,800 $ |
| 25+ | 2,580 $ |
| 50+ | 2,350 $ |
| 100+ | 2,120 $ |
| 250+ | 1,890 $ |
| 500+ | 1,770 $ |
| 1000+ | 1,710 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK10P60W,RVQ(S
Code Commande08AK7497
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.7A
Drain Source On State Resistance0.327ohm
On Resistance Rds(on)0.327ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation Pd80W
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.327ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
80W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.7A
On Resistance Rds(on)
0.327ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit