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TK28V65W5,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK28V65W5,LQ(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4490RL
Bandes découpées72AK4490
Votre numéro de pièce
1 550 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 11,120 $ | 11,12 $ |
| Total Prix | 11,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,120 $ |
| 50+ | 9,980 $ |
| 100+ | 9,270 $ |
| 250+ | 8,530 $ |
| 500+ | 7,610 $ |
| 1000+ | 6,350 $ |
| 2500+ | 6,090 $ |
| 5000+ | 5,820 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK28V65W5,LQ(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4490RL
Bandes découpées72AK4490
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27.6A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation240W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27.6A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit