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TK31V60X,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,430 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK31V60X,LQ(SCopie
Code Commande09AK8690
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30.8A
On Resistance Rds(on)0.078ohm
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation240W
Power Dissipation Pd240W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.078ohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30.8A
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit