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TK32E12N1,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 60 A, 11 mohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,880 $ |
| 10+ | 1,640 $ |
| 100+ | 1,330 $ |
| 500+ | 1,200 $ |
| 1000+ | 1,080 $ |
| 2500+ | 0,928 $ |
| 10000+ | 0,905 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK32E12N1,S1X(S
Code Commande09AK8691
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Drain Source On State Resistance11mohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd98W
Power Dissipation98W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
98W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
98W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit