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TK40A10N1,S4X(S
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Through Hole
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK40A10N1,S4X(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM9337RL
Bandes découpées29AM9337
Votre numéro de pièce
187 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,950 $ | 2,95 $ |
| Total Prix | 2,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,950 $ |
| 50+ | 2,570 $ |
| 100+ | 2,360 $ |
| 250+ | 2,170 $ |
| 500+ | 1,870 $ |
| 1000+ | 1,690 $ |
| 2500+ | 1,520 $ |
| 5000+ | 1,460 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK40A10N1,S4X(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM9337RL
Bandes découpées29AM9337
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleTO-220SIS
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-220SIS
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit