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TK4P60D,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK4P60D,RQ(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4526RL
Bandes découpées72AK4526
Votre numéro de pièce
740 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,600 $ | 1,60 $ |
| Total Prix | 1,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,600 $ |
| 50+ | 1,340 $ |
| 100+ | 1,200 $ |
| 250+ | 1,090 $ |
| 500+ | 0,953 $ |
| 1000+ | 0,856 $ |
| 2500+ | 0,710 $ |
| 5000+ | 0,689 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK4P60D,RQ(SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4526RL
Bandes découpées72AK4526
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit