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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK4R4P06PL,RQ(S2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4530RL
Bandes découpées72AK4530
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Votre numéro de pièce
279 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,930 $ | 2,93 $ |
| Total Prix | 2,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,930 $ |
| 50+ | 2,630 $ |
| 100+ | 2,400 $ |
| 250+ | 2,190 $ |
| 500+ | 1,950 $ |
| 1000+ | 1,720 $ |
| 2500+ | 1,600 $ |
| 5000+ | 1,530 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK4R4P06PL,RQ(S2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4530RL
Bandes découpées72AK4530
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation87W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
106A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
87W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
