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TK55S10N1,LQ(O
MOSFET, N-CH, 100V, 55A, TO-252
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,450 $ |
| 10+ | 2,160 $ |
| 25+ | 1,950 $ |
| 50+ | 1,740 $ |
| 100+ | 1,520 $ |
| 250+ | 1,300 $ |
| 500+ | 1,190 $ |
| 1000+ | 1,120 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,45 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK55S10N1,LQ(O
Code Commande08AK7506
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
On Resistance Rds(on)0.0055ohm
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd157W
Power Dissipation157W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0055ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
157W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
157W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit