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TK60J25D,S1Q(O
MOSFET, N-CH, 250V, 60A, TO-3PN
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK60J25D,S1Q(OCopie
Code Commande79AK2887
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation410W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
410W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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