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TK8P25DA,RQ(S2
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK8P25DA,RQ(S2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4585RL
Bandes découpées72AK4585
Votre numéro de pièce
1 979 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,320 $ | 1,32 $ |
| Total Prix | 1,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,320 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
| 100+ | 0,990 $ |
| 250+ | 0,895 $ |
| 500+ | 0,785 $ |
| 1000+ | 0,706 $ |
| 2500+ | 0,585 $ |
| 5000+ | 0,567 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK8P25DA,RQ(S2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine72AK4585RL
Bandes découpées72AK4585
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.41ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit