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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH2R70AR5,LQ(M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AM3181RL
Bandes découpées46AM3181
Gamme de produitU-MOS11-H Series
Votre numéro de pièce
4 241 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,620 $ | 4,62 $ |
| Total Prix | 4,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,620 $ |
| 50+ | 4,060 $ |
| 100+ | 3,660 $ |
| 250+ | 3,270 $ |
| 500+ | 2,850 $ |
| 1000+ | 2,440 $ |
| 2500+ | 2,230 $ |
| 5000+ | 2,120 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH2R70AR5,LQ(M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AM3181RL
Bandes découpées46AM3181
Gamme de produitU-MOS11-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source On State Resistance2700µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation210W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOS11-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOS11-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
