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TPH6R008QM,LQ(M1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH6R008QM,LQ(M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK2892RL
Bandes découpées79AK2892
Votre numéro de pièce
4 935 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,620 $ | 1,62 $ |
| Total Prix | 1,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,620 $ |
| 50+ | 1,400 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 0,960 $ |
| 1000+ | 0,848 $ |
| 2500+ | 0,738 $ |
| 5000+ | 0,708 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH6R008QM,LQ(M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK2892RL
Bandes découpées79AK2892
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance4700µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation135W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit