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TPH8R80ANH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0088 ohm, SOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,030 $ |
| 10+ | 1,740 $ |
| 25+ | 1,570 $ |
| 50+ | 1,420 $ |
| 100+ | 1,200 $ |
| 250+ | 1,060 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH8R80ANH,L1Q(M
Code Commande09AK8995
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance8800µohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation61W
Power Dissipation Pd61W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Drain Source On State Resistance
8800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
61W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour TPH8R80ANH,L1Q(M
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit