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TPN1R603PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN1R603PL,L1Q(MCopie
Code Commande09AK8996
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance1200µohm
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation Pd104W
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit