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TPW1R306PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.95 mohm, DSOP, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R306PL,L1Q(MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande09AK9037
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,680 $ |
| 10+ | 4,990 $ |
| 25+ | 4,590 $ |
| 50+ | 4,150 $ |
| 100+ | 3,600 $ |
| 250+ | 2,850 $ |
| 500+ | 2,710 $ |
| 1000+ | 2,550 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,68 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R306PL,L1Q(MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande09AK9037
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)950µohm
Drain Source On State Resistance0.95mohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd170W
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
950µohm
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
170W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.95mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits