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TPW2900ENH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW2900ENH,L1Q(MCopie
Code Commande72AK4658
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW2900ENH,L1Q(MCopie
Code Commande72AK4658
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation142W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
142W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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